SDRAM工作原理及S3C2410 SDRAM控制器配置方法（2）

表4-4 REFRESH寄存器位定义

4．BANKSIZE寄存器

表4-5 BANKSIZE寄存器定义

初始化时,BURST_EN可以取0或1,为了提高效率,最好设置为1.SCKE_EN设置为1.SCLK_EN设置为1.BK76MAP设置为2.

5、MRSR寄存器

MRSR寄存器有2个,分别对应MRSRB6和MRSRB7,对应着Bank6和Bank7.见表4-6.

表4-6 MRSRn寄存器定义

此寄存器S3C2410只允许CL可以设置,参照HY57V561620T-H手册,取011,即3CLKs.

猝发长度的具体值在程序中没有给出,根据后面触发时序猜测应该是8,HY57V561620T支持1、2、4、8、page猝发长度.

参照前面的HY57V561620命令表,写Mode寄存器用的是Mode register命令.其中的OP CODE参照下图：

注意：当代码在SDRAM中运行时,绝不能够重新配置MRSR寄存器.

五、SDRAM的控制时序分析

下面列出SDRAM的状态机及几种SDARM控制命令的时序.大家掌握了以后可以试着分析其它的命令时序.

1、SDRAM的状态机

SDRAM的完整状态机由多个状态构成,且状态转移是非随机的（如图5-1所示）.

正是如此众多的状态及其复杂的转换关系,导致ＳＤＲＡＭ的控制较为复杂.通常FPGA开发人员在设计SDRAM控制器

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